|
|
عنوان مقاله: ترانزیستور اثر میدانی قالب فایل: WORD تعداد صفحات: 42 صفحه
فهرست مطالب:
● مقدمه ● بخش اول: JFET ها ساختمان و مشخصههاي JFETها مقاومت كنترل ولتاژ قطعات كانال p نمادها خلاصه ● بخش دوم: MOSFET ها MOSFET نوع تهي اساس ساختمان كار قطعه و مشخصههاي آن MOSFET نوع تهي كانال p نمادها، ورقههاي مشخصه، و ساختمان بدنه MOSFET نوع افزايشي اساس ساختمان اساس كار و مشخصهها MOSFET های نوع افزایشی کانال p
* برای دریافت مقدمه مقاله (با حجم بسیار کم) اینجا کلیک کنید.
:: برچسبها:
MOSFET نوع تهي ,
ترانزیستور ,
MOSFET نوع افزايشي ,
ترانزیستور اثر میدانی ,
MOSFET ,
JFET ,
كانال p ,
:: بازدید از این مطلب : 141
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : شنبه 1 مرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
|
|
|